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      8. 4小时前
      1. 深圳......
      2. 382LX681M450N052V
      3.  
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      8. 4小时前
      1. 深圳......
      2. PL9000PSIO00000
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      7. 求购
      8. 4小时前
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      8. 4小时前
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      8. 4小时前
      1. 深圳......
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      8. 4小时前
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      8. 4小时前
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      7. 求购
      8. 4小时前

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      IMBG120R350M1H

      是采用D2PAK-7L (TO-263-7)封装的1200 V, 350 mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET,它基于先进的沟槽工艺,该工艺经过优化,兼具性能与可靠性。它采用改良版1200V SMD封装,将CoolSiC技术的低功耗特性与.XT互联技术相结合,可在电机驱动、充电模块以及工业电源等应用中实现最高效率和被动制冷。
      电机驱动
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      GRM1555C1E2R5BA01#

      民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
      医疗医疗器械
      0 MURATA

      GCH1885C2A100JE01#

      植入式医疗器械设备或医疗器械设备 [GHTF D]
      医疗医疗器械
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      IPT60R145CFD7

      600V CoolMOS™ CFD7 是英飞凌推出的新型高压超结 MOSFET 技术,具有集成快速体二极管,完善了CoolMOS™ 7系列。 CoolMOS™ CFD7 拥有更低的栅极电荷(Qg)和更为出色的关断性能。此外,其反向恢复电荷(Qrr)远低于市场上的竞争性产品,降幅高达 69%。不仅如此,它还具有市场上较短的反向恢复时间(trr)。
      高压二极管栅极
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      日期:昨天 13:23

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      日期:昨天 10:04

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